Vishay Siliconix - SIRA26DP-T1-RE3

KEY Part #: K6405182

SIRA26DP-T1-RE3 Priser (USD) [316935stk Lager]

  • 1 pcs$0.11670

Delnummer:
SIRA26DP-T1-RE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - spesialformål, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Bridge likerettere and Transistorer - IGBT-er - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIRA26DP-T1-RE3 electronic components. SIRA26DP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA26DP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA26DP-T1-RE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIRA26DP-T1-RE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
Serie : TrenchFET® Gen IV
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 25V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (maks) : +16V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2247pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 43.1W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8