ON Semiconductor - FDG312P

KEY Part #: K6405258

FDG312P Priser (USD) [596208stk Lager]

  • 1 pcs$0.06235
  • 3,000 pcs$0.06204

Delnummer:
FDG312P
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - JFET-er and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FDG312P electronic components. FDG312P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG312P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG312P Produktegenskaper

Delnummer : FDG312P
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
Serie : PowerTrench®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 20V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 180 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 750mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SC-88 (SC-70-6)
Pakke / sak : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363