Nexperia USA Inc. - PMV45EN2VL

KEY Part #: K6421616

PMV45EN2VL Priser (USD) [1056857stk Lager]

  • 1 pcs$0.03524
  • 10,000 pcs$0.03507

Delnummer:
PMV45EN2VL
Produsent:
Nexperia USA Inc.
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - RF, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - IGBT-er - moduler and Dioder - Zener - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMV45EN2VL electronic components. PMV45EN2VL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMV45EN2VL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMV45EN2VL Produktegenskaper

Delnummer : PMV45EN2VL
Produsent : Nexperia USA Inc.
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Serie : TrenchMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 42 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 6.3nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 209pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 510mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-236AB
Pakke / sak : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3