Diodes Incorporated - DMG4N65CT

KEY Part #: K6393492

DMG4N65CT Priser (USD) [76032stk Lager]

  • 1 pcs$0.51426
  • 50 pcs$0.41208
  • 100 pcs$0.34108
  • 500 pcs$0.26451
  • 1,000 pcs$0.20882

Delnummer:
DMG4N65CT
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - spesialformål, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMG4N65CT electronic components. DMG4N65CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4N65CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4N65CT Produktegenskaper

Delnummer : DMG4N65CT
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 13.5nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.19W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220-3
Pakke / sak : TO-220-3