Vishay Siliconix - SI7998DP-T1-GE3

KEY Part #: K6523269

SI7998DP-T1-GE3 Priser (USD) [123967stk Lager]

  • 1 pcs$0.29837
  • 3,000 pcs$0.28017

Delnummer:
SI7998DP-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI7998DP-T1-GE3 electronic components. SI7998DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7998DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7998DP-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI7998DP-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon : Logic Level Gate
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 25A, 30A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V
Kraft - Maks : 22W, 40W
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8 Dual
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8 Dual