Infineon Technologies - IRL2910SPBF

KEY Part #: K6411960

IRL2910SPBF Priser (USD) [8460stk Lager]

  • 1,000 pcs$0.68148

Delnummer:
IRL2910SPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays and Transistorer - IGBT-er - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRL2910SPBF electronic components. IRL2910SPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL2910SPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL2910SPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRL2910SPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Serie : HEXFET®
Delstatus : Discontinued at Digi-Key
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 26 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 5V
Vgs (maks) : ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3700pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB