Infineon Technologies - IPD50R500CEATMA1

KEY Part #: K6402336

[2739stk Lager]


    Delnummer:
    IPD50R500CEATMA1
    Produsent:
    Infineon Technologies
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - IGBT-er - moduler, Tyristorer - SCR-er - moduler, Power Driver-moduler and Tyristorer - SCR ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Infineon Technologies IPD50R500CEATMA1 electronic components. IPD50R500CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50R500CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD50R500CEATMA1 Produktegenskaper

    Delnummer : IPD50R500CEATMA1
    Produsent : Infineon Technologies
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
    Serie : CoolMOS™ CE
    Delstatus : Discontinued at Digi-Key
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 500V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 7.6A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 13V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 500 mOhm @ 2.3A, 13V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 18.7nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 433pF @ 100V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 57W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandørenhetspakke : PG-TO252-3
    Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63