Toshiba Semiconductor and Storage - TK16G60W,RVQ

KEY Part #: K6417518

TK16G60W,RVQ Priser (USD) [33546stk Lager]

  • 1 pcs$1.22859

Delnummer:
TK16G60W,RVQ
Produsent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - spesialformål and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W,RVQ electronic components. TK16G60W,RVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK16G60W,RVQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK16G60W,RVQ Produktegenskaper

Delnummer : TK16G60W,RVQ
Produsent : Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse : MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Serie : DTMOSIV
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 15.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 790µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 300V
FET-funksjon : Super Junction
Effektdissipasjon (maks) : 130W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Du kan også være interessert i