Beskrivelse :
GANFET TRANS 100V BUMPED DIE
Teknologi :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
16A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
7 mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 5mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
685pF @ 50V
Effektdissipasjon (maks) :
-
Driftstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
Die