IXYS - IXFR24N100Q3

KEY Part #: K6395445

IXFR24N100Q3 Priser (USD) [5093stk Lager]

  • 1 pcs$9.83103
  • 60 pcs$9.78212

Delnummer:
IXFR24N100Q3
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - likerettere - matriser, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFR24N100Q3 electronic components. IXFR24N100Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR24N100Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR24N100Q3 Produktegenskaper

Delnummer : IXFR24N100Q3
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Serie : HiPerFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 490 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 7200pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 500W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : ISOPLUS247™
Pakke / sak : TO-247-3