Rohm Semiconductor - ES6U1T2R

KEY Part #: K6421521

ES6U1T2R Priser (USD) [701059stk Lager]

  • 1 pcs$0.05833
  • 8,000 pcs$0.05804

Delnummer:
ES6U1T2R
Produsent:
Rohm Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Tyristorer - SCR, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in Rohm Semiconductor ES6U1T2R electronic components. ES6U1T2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES6U1T2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES6U1T2R Produktegenskaper

Delnummer : ES6U1T2R
Produsent : Rohm Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Serie : -
Delstatus : Not For New Designs
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 12V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 2.4nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 6V
FET-funksjon : Schottky Diode (Isolated)
Effektdissipasjon (maks) : 700mW (Ta)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 6-WEMT
Pakke / sak : SOT-563, SOT-666