Vishay Siliconix - SI7852DP-T1-E3

KEY Part #: K6419223

SI7852DP-T1-E3 Priser (USD) [88646stk Lager]

  • 1 pcs$0.44109
  • 3,000 pcs$0.37191

Delnummer:
SI7852DP-T1-E3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Arrays, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - spesialformål, Tyristorer - SCR, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI7852DP-T1-E3 electronic components. SI7852DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7852DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7852DP-T1-E3 Produktegenskaper

Delnummer : SI7852DP-T1-E3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 80V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 7.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 16.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 1.9W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8