Taiwan Semiconductor Corporation - TSM220NB06CR RLG

KEY Part #: K6409609

TSM220NB06CR RLG Priser (USD) [343072stk Lager]

  • 1 pcs$0.10781

Delnummer:
TSM220NB06CR RLG
Produsent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - IGBT-er - singel, Power Driver-moduler and Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) ...
Konkurransefordel:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR RLG electronic components. TSM220NB06CR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM220NB06CR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM220NB06CR RLG Produktegenskaper

Delnummer : TSM220NB06CR RLG
Produsent : Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse : MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 22 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1454pF @ 30V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-PDFN (5x6)
Pakke / sak : 8-PowerTDFN