Vishay Siliconix - IRF730STRRPBF

KEY Part #: K6393382

IRF730STRRPBF Priser (USD) [69971stk Lager]

  • 1 pcs$0.56160
  • 800 pcs$0.55880

Delnummer:
IRF730STRRPBF
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix IRF730STRRPBF electronic components. IRF730STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF730STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF730STRRPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRF730STRRPBF
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 400V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1 Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB