Microsemi Corporation - APTMC60TL11CT3AG

KEY Part #: K6523767

APTMC60TL11CT3AG Priser (USD) [4055stk Lager]

  • 100 pcs$97.63581

Delnummer:
APTMC60TL11CT3AG
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - SCR-er - moduler, Power Driver-moduler, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - JFET-er and Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APTMC60TL11CT3AG electronic components. APTMC60TL11CT3AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTMC60TL11CT3AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC60TL11CT3AG Produktegenskaper

Delnummer : APTMC60TL11CT3AG
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-funksjon : Silicon Carbide (SiC)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, vgs : 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 1000V
Kraft - Maks : 125W
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : SP3
Leverandørenhetspakke : SP3