IXYS-RF - IXFH12N50F

KEY Part #: K6397529

IXFH12N50F Priser (USD) [10590stk Lager]

  • 1 pcs$5.15178
  • 10 pcs$4.63572
  • 100 pcs$3.81153
  • 500 pcs$3.19343

Delnummer:
IXFH12N50F
Produsent:
IXYS-RF
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 12A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Power Driver-moduler, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistorer - IGBT-er - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS-RF IXFH12N50F electronic components. IXFH12N50F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH12N50F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH12N50F Produktegenskaper

Delnummer : IXFH12N50F
Produsent : IXYS-RF
Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Serie : HiPerRF™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 500V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1870pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 180W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247 (IXFH)
Pakke / sak : TO-247-3