Vishay Siliconix - SUP90142E-GE3

KEY Part #: K6417109

SUP90142E-GE3 Priser (USD) [25004stk Lager]

  • 1 pcs$1.59533
  • 10 pcs$1.42390
  • 100 pcs$1.10780
  • 500 pcs$0.89706
  • 1,000 pcs$0.75655

Delnummer:
SUP90142E-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - programmerbar enhet, Power Driver-moduler, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SUP90142E-GE3 electronic components. SUP90142E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUP90142E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUP90142E-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SUP90142E-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Serie : ThunderFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 15.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 31200pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 375W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3