ON Semiconductor - FQU12N20TU

KEY Part #: K6420137

FQU12N20TU Priser (USD) [163825stk Lager]

  • 1 pcs$0.24679
  • 5,040 pcs$0.24557

Delnummer:
FQU12N20TU
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - IGBT-er - singel, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - IGBT-er - Arrays and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FQU12N20TU electronic components. FQU12N20TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU12N20TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU12N20TU Produktegenskaper

Delnummer : FQU12N20TU
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Serie : QFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 910pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : I-PAK
Pakke / sak : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA