Infineon Technologies - IRFL024NTRPBF

KEY Part #: K6409617

IRFL024NTRPBF Priser (USD) [322420stk Lager]

  • 1 pcs$0.11472
  • 2,500 pcs$0.09841

Delnummer:
IRFL024NTRPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - TRIAC, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - FET, MOSFET - En and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRFL024NTRPBF electronic components. IRFL024NTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL024NTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFL024NTRPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFL024NTRPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 55V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 75 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 18.3nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 1W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-223
Pakke / sak : TO-261-4, TO-261AA