IXYS - IXFH24N80P

KEY Part #: K6397443

IXFH24N80P Priser (USD) [10651stk Lager]

  • 1 pcs$4.25275
  • 10 pcs$3.82836
  • 100 pcs$3.14788
  • 500 pcs$2.63740

Delnummer:
IXFH24N80P
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 24A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - JFET-er, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - spesialformål, Tyristorer - TRIAC, Dioder - Zener - Singel and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFH24N80P electronic components. IXFH24N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH24N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH24N80P Produktegenskaper

Delnummer : IXFH24N80P
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
Serie : HiPerFET™, PolarHT™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 400 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 7200pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 650W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247AD (IXFH)
Pakke / sak : TO-247-3