Infineon Technologies - IPP50R399CPHKSA1

KEY Part #: K6418805

IPP50R399CPHKSA1 Priser (USD) [78131stk Lager]

  • 1 pcs$0.50045
  • 500 pcs$0.47341

Delnummer:
IPP50R399CPHKSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - spesialformål, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - JFET-er and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPP50R399CPHKSA1 electronic components. IPP50R399CPHKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP50R399CPHKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP50R399CPHKSA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPP50R399CPHKSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
Serie : CoolMOS™
Delstatus : Not For New Designs
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 560V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 399 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 330µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 83W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : PG-TO220-3-1
Pakke / sak : TO-220-3