Vishay Siliconix - SUD35N10-26P-GE3

KEY Part #: K6393692

SUD35N10-26P-GE3 Priser (USD) [84291stk Lager]

  • 1 pcs$0.46388
  • 2,000 pcs$0.43461

Delnummer:
SUD35N10-26P-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - spesialformål, Transistorer - JFET-er, Tyristorer - SCR, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Zener - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SUD35N10-26P-GE3 electronic components. SUD35N10-26P-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD35N10-26P-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD35N10-26P-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SUD35N10-26P-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 12V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-252, (D-Pak)
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63