Toshiba Semiconductor and Storage - TPN13008NH,L1Q

KEY Part #: K6420733

TPN13008NH,L1Q Priser (USD) [241158stk Lager]

  • 1 pcs$0.16108
  • 5,000 pcs$0.16028

Delnummer:
TPN13008NH,L1Q
Produsent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - SCR, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - RF, Transistorer - JFET-er and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN13008NH,L1Q electronic components. TPN13008NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN13008NH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN13008NH,L1Q Produktegenskaper

Delnummer : TPN13008NH,L1Q
Produsent : Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse : MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
Serie : U-MOSVIII-H
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 80V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 13.3 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 40V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 700mW (Ta), 42W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pakke / sak : 8-PowerVDFN

Du kan også være interessert i