Renesas Electronics America - N0603N-S23-AY

KEY Part #: K6393744

N0603N-S23-AY Priser (USD) [106032stk Lager]

  • 1 pcs$0.42223
  • 1,000 pcs$0.42013

Delnummer:
N0603N-S23-AY
Produsent:
Renesas Electronics America
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 100A TO-262.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - JFET-er, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - IGBT-er - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Renesas Electronics America N0603N-S23-AY electronic components. N0603N-S23-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for N0603N-S23-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

N0603N-S23-AY Produktegenskaper

Delnummer : N0603N-S23-AY
Produsent : Renesas Electronics America
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 4.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 133nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 7730pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 1.5W (Ta), 156W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-262
Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA