Global Power Technologies Group - GP2M007A080F

KEY Part #: K6402583

[2653stk Lager]


    Delnummer:
    GP2M007A080F
    Produsent:
    Global Power Technologies Group
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 800V 7A TO220F.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Zener - Singel, Dioder - Zener - Arrays and Dioder - Bridge likerettere ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP2M007A080F electronic components. GP2M007A080F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP2M007A080F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP2M007A080F Produktegenskaper

    Delnummer : GP2M007A080F
    Produsent : Global Power Technologies Group
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
    Serie : -
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1410pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 50W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandørenhetspakke : TO-220F
    Pakke / sak : TO-220-3 Full Pack

    Du kan også være interessert i
    • CPH6354-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

    • TN0604N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3.

    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.