Infineon Technologies - IRFS3006TRLPBF

KEY Part #: K6401015

IRFS3006TRLPBF Priser (USD) [42256stk Lager]

  • 1 pcs$0.92532
  • 800 pcs$0.76989

Delnummer:
IRFS3006TRLPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - IGBT-er - moduler and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRFS3006TRLPBF electronic components. IRFS3006TRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS3006TRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS3006TRLPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRFS3006TRLPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.5 mOhm @ 170A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 8970pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 375W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB