Vishay Siliconix - SI4214DDY-T1-GE3

KEY Part #: K6525417

SI4214DDY-T1-GE3 Priser (USD) [315289stk Lager]

  • 1 pcs$0.11731
  • 2,500 pcs$0.11039

Delnummer:
SI4214DDY-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - JFET-er, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - likerettere - matriser, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - spesialformål and Power Driver-moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-GE3 electronic components. SI4214DDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4214DDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4214DDY-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI4214DDY-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon : Logic Level Gate
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 8.5A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 19.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V
Kraft - Maks : 3.1W
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandørenhetspakke : 8-SO