ON Semiconductor - FQPF6N80T

KEY Part #: K6418618

FQPF6N80T Priser (USD) [70805stk Lager]

  • 1 pcs$0.59655
  • 1,000 pcs$0.59358

Delnummer:
FQPF6N80T
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FQPF6N80T electronic components. FQPF6N80T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF6N80T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF6N80T Produktegenskaper

Delnummer : FQPF6N80T
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
Serie : QFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 51W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220F
Pakke / sak : TO-220-3 Full Pack