Microsemi Corporation - APTM60H23FT1G

KEY Part #: K6522602

APTM60H23FT1G Priser (USD) [2511stk Lager]

  • 1 pcs$17.24630
  • 100 pcs$17.02655

Delnummer:
APTM60H23FT1G
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Zener - Singel and Transistorer - FET, MOSFET - En ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APTM60H23FT1G electronic components. APTM60H23FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM60H23FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM60H23FT1G Produktegenskaper

Delnummer : APTM60H23FT1G
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-funksjon : Standard
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5316pF @ 25V
Kraft - Maks : 208W
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : SP1
Leverandørenhetspakke : SP1