ON Semiconductor - FDP26N40

KEY Part #: K6403112

FDP26N40 Priser (USD) [27424stk Lager]

  • 1 pcs$1.17226
  • 10 pcs$1.00386
  • 100 pcs$0.80685
  • 500 pcs$0.62753
  • 1,000 pcs$0.51996

Delnummer:
FDP26N40
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 400V 26A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - IGBT-er - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FDP26N40 electronic components. FDP26N40 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP26N40, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP26N40 Produktegenskaper

Delnummer : FDP26N40
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 400V 26A TO-220
Serie : UniFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 400V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 160 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3185pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 265W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220-3
Pakke / sak : TO-220-3