Delnummer :
IPN80R1K4P7ATMA1
Produsent :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 70µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 500V
Effektdissipasjon (maks) :
7W (Tc)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
PG-SOT223