Infineon Technologies - IPW60R090CFD7XKSA1

KEY Part #: K6392590

IPW60R090CFD7XKSA1 Priser (USD) [11588stk Lager]

  • 1 pcs$3.55645

Delnummer:
IPW60R090CFD7XKSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
HIGH POWERNEW.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Tyristorer - SCR, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor and Tyristorer - TRIAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPW60R090CFD7XKSA1 electronic components. IPW60R090CFD7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R090CFD7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R090CFD7XKSA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPW60R090CFD7XKSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : HIGH POWERNEW
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 90 mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 570µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2103pF @ 400V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 125W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : PG-TO247-3
Pakke / sak : TO-247-3