Infineon Technologies - IPP65R600C6XKSA1

KEY Part #: K6405531

IPP65R600C6XKSA1 Priser (USD) [1633stk Lager]

  • 500 pcs$0.40196

Delnummer:
IPP65R600C6XKSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - FET, MOSFET - En and Dioder - Bridge likerettere ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPP65R600C6XKSA1 electronic components. IPP65R600C6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP65R600C6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP65R600C6XKSA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPP65R600C6XKSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
Serie : CoolMOS™
Delstatus : Obsolete
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 210µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 63W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : PG-TO220-3
Pakke / sak : TO-220-3

Du kan også være interessert i