Vishay Siliconix - SQD100N03-3M2L_GE3

KEY Part #: K6419460

SQD100N03-3M2L_GE3 Priser (USD) [113348stk Lager]

  • 1 pcs$0.32632

Delnummer:
SQD100N03-3M2L_GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - spesialformål, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SQD100N03-3M2L_GE3 electronic components. SQD100N03-3M2L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD100N03-3M2L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD100N03-3M2L_GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SQD100N03-3M2L_GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 116nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6316pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 136W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-252AA
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interessert i